氮化銦是用於電子學的有前途的材料，但是難以製造。 LiU的科學家開發了一種新分子，可用於製造高質量的氮化銦，從而使其有可能用於例如高頻電子設備中。
我們當前用於無電競運彩玩法線數據傳輸的帶寬即將滿。如果我們要繼續傳輸越來越多的數據，則必須通過使用更多的頻率來增加可用帶寬。氮化銦可能是該溶液的一部分。四名研究人員在化學實驗室穿白大褂。
“由於電子非常容易地穿過氮化銦，因此有可能以很高的速度將電子前後移動通過材料，並產生極高頻率的信號。”這意味著氮化銦可以用於高頻電子設備，例如可以為無線數據傳輸提供新的頻率。”物理，化學和生物學系（IFM）無機化學教授Henrik Pedersen說道。在LiU。他領導了這項研究，該研究最近發表在《材料化學》上。
氮化銦由氮和金屬銦組成。它是一種半導體，因此地下539坐車可用於晶體管，在晶體管上所有註冊送點數電子設備是基於。問題是難以生產氮化銦薄膜。
通常使用公認的化學氣相沉積或CVD方法生產相似半導體材料的薄膜，其中使用的溫度在800至1,000ºC之間。但是，當加熱到600ºC以上時，氮化銦會分解成銦和氮。ALD反應器的博士生Polla Rouf用來製造氮化銦薄膜。
進行本研究的科學家使用了一種稱為原子層沉積或ALD的CVD變體，在其中使用了較低的溫度。他們開發了一種稱為三疊氮化銦的新分子。以前沒有人使用過這種三疊氮化銦，而LiU研究人員很快發現，三疊氮化物分子是製造薄膜的理想起始材料。
電子產品中使用的大多數材料必須通過在控制電子材料晶體結構的表面上生長薄膜來生產。該過程稱為外延生長。研究人員發現，如果使用碳化矽作為襯底，則有可能實現氮化銦的外延生長，而這在以前是未知的。此外，以這種方式生產的氮化銦非常純，並且娛樂城比較g世界上最高質量的氮化銦。
“我們生產的分子三疊氮化銦使在電子設備中使用氮化銦成為可能。亨里克·佩德森說：“我們已經證明可以以確保足夠純淨的方式生產氮化銦，可以說它是真正的電子材料。”研究人員發現了另一個令人驚訝的事實。在那些使用ALD的人中，人們普遍認為，不允許分子在氣相中以任何方式發生反應或分解。大樂透快速對獎但是當研究人員改變塗層過程的溫度時線上娛樂城評價他們發現了金好贏娛樂城d。不僅溫度穩定，而且溫度穩定在兩個溫度。手套箱中的內森·奧布賴恩（Nathan O’Brien）在合成過程中保護了敏感分子不受空氣和水分的影響。
“三疊氮化銦在氣相中分解成較小的碎片，這改善了ALD工藝。這是ALD內部的範式轉變-使用氣相中不完全穩定的分子。我們表明，如果我們允許新分子在氣相中分解到一定程度，我們將獲得更好的最終結果。” Henrik Pedersen說。
研究人員現在正在研究將三疊氮化物分子與銦以外的其他金屬進行相似的研究，並將其用於生產ALD分子時已獲得了可喜的結果。
參考
原位活化三氮雜銦（III）前驅體，用於通過原子層沉積外延生長氮化銦。 Nathan J. O’Brien，Polla Rouf，Rouzbeh Samii，KarlRönnby，悉尼C.Buttera，許志偉，Ivan G.Ivanov，Vadim Kessler，LarsOjamäe和Hen註冊送彩金里克·佩德森。化學母校2020，32，11，4481-4489，2020年4月24日，https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.9b05171。
本文已從以下材料重新發布。注意：材料的長度和內容可能已被編輯。有關更多信息，請聯繫引用的來源。
